星际金华全新原装IXFX64N60P3 N沟道场效应晶体管！！！

产品参数值：

FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 64A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 145nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 9900pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1130W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 95 毫欧 @ 32A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PLUS247™-3
封装/外壳 TO-247-3

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