锑化铟(InSb)单晶

 

1, 工艺:提拉法生长锑化铟单晶;

2, 纯度:6N(%) ;

3,检验: GDMS(所有的杂质元素总和低于1ppm);XRD;电阻测试;

3, 规格:单晶棒,圆片,晶圆,厚度可做到;

4, 掺杂:碲或锗;

5, 服务:提供MSDS及实用的防护措施;提供材料应用解决方案;提供免费样品;

         提供电子迁移率,载流子浓度等检测报告;

6,用途:红外探测器件,锑化铟磁阻传感器

凯亚达 锑化铟 InSb 单晶 6N是杭州凯亚达半导体材料有限公司的主要产品,我们的产品负责人是牛志强,有需要的朋友请直接拨打我的电话18328122412,我们的地址是xc18328049267,期待与您的合作!